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文章出处:原创 责任编辑:admin 人气: 发表时间:2018-01-14 08:07

  图1中,无线电波能够传播的GaN HEMT功率放大器的一些输入功率会转化成热量,然后分散到SiC沉底。永利app官方下载由于提高雷达和无线通信的射程和功率也增加了器件产生的热量,这对其性能和可靠性产生不利影。

  使用这种技术散热可以高效率地冷却高功率氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT),从而使功率放大器在高功率水平下稳定工作。

  近年来,高频GaN-HEMT功率放大器已被广泛用于雷达和无线通信等远程无线电领域,距离将增大,永利app官方下载预计还将用于天气雷达观测局部暴雨,或者即将出现的5G毫米波段移动通信协议。对于这些使用微波到毫米波频段雷达或无线通信系统,永利app官方下载永利app官方下载通过提高用于传输的GaN-HEMT功率放大器的输出功率,无线电波能够传播的距离将增大,可扩展雷达观测范围,实现更远和更高容量的通信。

  12月6日至9日美国加利福尼亚州的IEEE半导体接口专家会议(SISC2017)上,日本富士通及其子富士通实验室(Fujitsu Laboratories Ltd)先容了据称是第一个室温下实现单晶金刚石和永利app官方下载(SiC)衬底焊接,关键是这两者都是硬质材料,但具有不同的热膨胀系数。

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