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电学性能检测仪器

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四探针法晶圆电阻率测试仪

四探针法晶圆电阻率测试仪

型    号: GEST-201
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四探针法晶圆电阻率测试仪主要通过四探针法测试单晶硅电阻率,具有自动定位的三坐标自动测量系统,可以自由设置测量点数量,自动测试完成,可以对测试出的数据进行2D成像,是智能化、集成化很高的晶圆电阻率测试仪器。

GEST-201四探针法晶圆电阻率测试仪的详细资料:

全自动晶圆成像电阻率测试仪

产品名称:全自动晶圆成像电阻率测试仪

产品型号:GEST-201

一、产品概述

本仪器主要通过四探针法测试单晶硅电阻率,具有自动定位的三坐标自动测量系统,可以自由设置测量点数量,自动测试完成,可以对测试出的数据进行2D成像,是智能化、集成化很高的晶圆电阻率测试仪器。

仪器采用了*电子技术进行设计、装配。具有功能选择直观、测量取数快、精度高、测量范围宽、稳定性好、结构紧凑、易操作等特点。

本仪器适用于半导体材料厂、半导体器件厂、科研单位、高等院校对半导体材料的电阻性能测试

二、仪器构成:

本仪器主要组成部分有:

1、 高精度电阻率测试仪

2、 三坐标测试移动平台

3、 测试探头

4、 上位机App测量成像系统

高精度电阻率测量仪:

1、测量范围

1.1电阻率:0.00001~20000Ω.cm (可扩展)

1.2电导率:0.00005~10000 s/cm;

1.3电阻:0.00001~20000Ω.cm;

2、电压测量:

2.1量程0.01mV-2000 mV

2.2分辨力:10μV;

2.3 精度:±0.1% ;

2.4显示:触摸屏操作显示

3、恒流源:

3.1电流输出:10μA, 100μA, 1mA, 10mA, 100mA, 1A,

3.2电流误差:±0.5%

3.3各档连续可调

三坐标测试移动品台:

1、X轴Y轴移动行程:120MM

2、X轴Y轴*小位移量:0.125MM

3、R轴*小分度值:0.0125°C

四探针测试电极:

1、间距:1±0.01mm;
2、针间绝缘电阻:≥1000MΩ; 
3、机械游移率:≤0.3%;
4、探针:碳化钨或高速钢Ф0.5mm;
5、 探针压力:5~16 牛顿(总力);

上位机App测量成像系统

1、 测量方式:弧度测量、角度测量

2、 测量点数:可以设定

3、 测试数据:实时同步显示

4、 2D成像:测试完成后,可以立体成像

5、 数据导出:可以保存测试数据生成电子版本

 

 

 

将会得出与运行经验的相对应的判据。在流动的冷水下,用有金刚石层的圆锯片从正常生产的绝缘子上沿与芯棒轴线成90°的方向切割下10只试品,试品长度应为10mm±0.5mm。切面应用细砂布打光(砂粒大小为180目),两端的切面应是清洁和平行的。试品应(纤维垂直)地放入玻璃容器内,置于一层直径相同(1mm?2mm)的钢球或玻璃球上,将1%的品红乙醇溶液(1g的品红放入100g的乙醇中)染料倒入容器中,使其液面应比球层的上平面高2mm?3mm,染料可因毛细作用而从芯棒内上升,测量染料上升贯通试品的时间。染料上升贯通试品所用的时间应长于15min。在流动的冷水下,用有金刚石层的圆锯片从正常生产的绝缘子上沿与芯棒轴线成90°的方向切割下6只试品。

试品长度应为30mm土0.5mm。切面应用细砂布打光(砂粒大小为180目),两端的切面应是清洁和平行的。试品的表面在煮沸前应先用异丙醇清洗并用滤纸擦净,将试品放入含0.1%重量NaCl的去离子水的玻璃容器内煮沸,在同一容器中,只能放入所切割的同一种芯棒材料试品在一起煮沸。沸腾容器示例见图2。在沸腾时间到了以后,将试品从玻璃容器中取出,在周围温度下置于装满自来水的另一玻璃容器中,持续至少15min。在试品自沸腾容器中取出后3h内进行按5.4.2.3的电压试验。电压试验应在图3和图4所示的装置中进行。注:对较大直径的试品,电极的直径也应加大,电极直径至少应比试品直径大20mm。T1——调压器;T2—变压器;

 

 

 

四探针法晶圆电阻率测试仪

四探针法晶圆电阻率测试仪


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